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分类:
  • 场效应晶体管阵列
制造商:
  • 德州仪器 (Texas)
封装:
  • 6-WSON (2x2)
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CSD85301Q2T
CSD85301Q2T
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 6-WSON (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

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CSD85301Q2
CSD85301Q2
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 6-WSON (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

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CSD85301Q2T 规格参数
属性 参数值
部件状态 可供货
安装类别 表面安装
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
漏源电压标 (Vdss) 20伏
场效应管类型 2个N通道(双通道)
包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
制造厂商 德州仪器 (Texas)
场效应管特性 逻辑电平门,5V驱动
漏源电流 (Id) @ 温度 5A
最大功率 2.3瓦
供应商设备包装 6-WSON (2x2)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V
导通电阻 Rds(ON) 27毫欧姆@5A,4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 469皮法 @ 10V
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